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2021超星尔雅学习通半导体物理与器件网课答案

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【单选题】1.2简单立方中的一个平面描述为(123)的平面,那么该平面在a、b、c轴上的截距为()

1,2,3
3,2,1
6,3,2
6,2,3

答案:6,3,2

【单选题】1.5金刚石结构的晶胞中有效原子数是多少()个

1
2
4
8

答案:8

【填空题】1.3体心立方结构晶格,(100)晶面实际包含的原子个数为()个,(110)晶面实际包含的原子个数为()个.

1
2

答案:1 2

【单选题】假设400k时硅的带隙为1.12eV,GaAs1.42,下列哪一个是Si的本征载流子浓度?

2.34e12(cm^-3)
3.22e9(cm^-3)

答案:2.34e12(cm^-3)

【单选题】已知T=600K时,载流子的迁移率

51.8????^2/s
3.87????^2∕s
2.59????^2∕s
25.9????^2∕s

答案:51.8

【单选题】忽略GaAs带隙随温度的变化,下面两个分别是温度为200K和400K时的本征载流子浓度,请选出温度为200K的答案。

7.32e3 (cm^-3)
3.22e9 (cm^-3)

答案:7.32e3 (cm^-3)

"

【填空题】1.4如图所示,该晶向为[],与这个晶向垂直的晶面在b轴上的截距为()。提示:只填数字即可。

113
3

答案:113 3

" "

【填空题】____无限大均匀N型半导体,t=t0时刻以前对其进行均匀光照,产生率为G0,t=t0时刻以后撤去光照,小注入条件下,分别写出t0时刻前后过剩载流子浓度的时间函数。

20分

答案:20分

"

【填空题】2.1已知某粒子波长为1000nm,那么其光子能量为()eV。已知普朗克常数为4.135e-15eV.s,答案保留三个有效数字。

1.24

答案:1.24

【单选题】T=300K时,若硅的电子浓度为1e5(cm^-3),则硅的空穴浓度为()。已知300K时,硅的本征载流子浓度为1.5e10(cm^-3).

1e5(cm^-3)
1.5e10(cm^-3)
2.25e15(cm^-3)
1.5e5(cm^-3)

答案:2.25e15(cm^-3)

"

【单选题】已知T=600K时,载流子的迁移率1000cm^2∕V?s,试计算载流子的扩散系数。

51.8cm^2/s
3.87cm^2∕s
2.59cm^2∕s
25.9cm^2∕s

答案:51.8cm^2/s

" "

【简答题】3.1(b),3.11(a)和(b),3.13(b),3.25,3.27,3.35,3.39,3.48,3.54,3.63

答案:

" "

【填空题】____设晶格常数为的一维晶格,导带极小值附近的能量为价带极大值附近的能量为其中为电子质量,是修正普朗克常数,,试求:____禁带宽度____价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

20分
1
2

答案:20分 1 2

"

【单选题】假设费米能级比导带能级Ec低kT,T=300K时,Ec+2kT能级中量子态被电子占据的概率为

26.89
11.9
4.74
1.80

答案:4.74

【单选题】硅原子最外层有几个轨道?

2
4
6
8

答案:8

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